Samsung 980 MZ-V8V250BW - SSD - chiffré - 250 Go - interne - M.2 2280 - PCIe 3.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption - Samsung
- Disque SSD interne
- Capacité: 250 Go
- Connectivité: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
- Format: M.2"
- Poids: 8g Voir le descriptif
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Avis sur Samsung 980 MZ - V8V250BW - SSD - Disque SSD interne 250 Go Samsung
6 avis sur Samsung 980 MZ - V8V250BW - SSD - Disque SSD interne 250 Go Samsung
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Présentation Samsung 980 MZ - V8V250BW - SSD
- Disque SSD interne 250 Go Samsung- Fabricant : Samsung
- Référence fabricant : MZ-V8V250BW
Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus
Descriptif technique Samsung 980 MZ - V8V250BW - SSD - Disque SSD interne 250 Go Samsung
Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
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Capacité | 250 Go |
Cryptage matériel | Oui |
Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
Format | M.2 2280 |
Interface | PCIe 3.0 x4 (NVMe) |
Caractéristiques | Prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, Host Memory Buffer (HMB), NVM Express (NVMe) 1.4, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Pablo Controller, Intelligent TurboWrite Technology, contrôle thermique de pointe, S.M.A.R.T. |
Largeur | 22.15 mm |
Profondeur | 80.15 mm |
Hauteur | 2.38 mm |
Poids | 8 g |
Endurance SSD | 150 TB |
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Débit de transfert interne | 2900 Mo/s (lecture) / 1300 Mo/s (écriture) |
Lecture aléatoire 4 Ko | 17000 IOPS |
Écriture aléatoire 4 Ko | 53000 IOPS |
Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 320000 IOPS |
Lecture aléatoire maximale 4 ko | 230000 IOPS |
Fiabilité MTBF | 1,500,000 heures |
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Interfaces | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
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Baie compatible | M.2 2280 |
Consommation électrique | 3.7 Watt (moyenne) - 5.6 Watt (maximum) - 0.045 Watt (inactif) |
---|
Logiciel(s) inclus | Samsung Magician Software |
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Normes de conformité | IEEE 1667 |
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Service et maintenance | Garantie limitée - 5 ans |
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Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
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Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
Résistance aux chocs (en fonctionnement) | 1500 g @ 0.5 ms half-sine |