Samsung 990 EVO MZ-V9E1T0BW - SSD - chiffré - 1 To - interne - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0 - Samsung
- Disque SSD interne
- Capacité: 1 To
- Connectivité: PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
- Format: M.2"
- Poids: 9g Voir le descriptif
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Avis sur Samsung 990 EVO MZ - V9E1T0BW - SSD - Disque SSD interne 1 To Samsung
1 avis sur Samsung 990 EVO MZ - V9E1T0BW - SSD - Disque SSD interne 1 To Samsung
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Présentation Samsung 990 EVO MZ - V9E1T0BW - SSD
- Disque SSD interne 1 To Samsung- Fabricant : Samsung
- Référence fabricant : MZ-V9E1T0BW
Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus
Descriptif technique Samsung 990 EVO MZ - V9E1T0BW - SSD - Disque SSD interne 1 To Samsung
Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
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Capacité | 1 To |
Cryptage matériel | Oui |
Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
Type de mémoire flash NAND | 3 bits par cellule (TLC) |
Format | M.2 2280 |
Interface | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
Caractéristiques | Prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND TLC Technology, S.M.A.R.T. |
Largeur | 22 mm |
Profondeur | 80 mm |
Hauteur | 2.38 mm |
Poids | 9 g |
Débit de transfert interne | 5000 Mo/s (lecture) / 4200 Mo/s (écriture) |
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Lecture aléatoire 4 Ko | 20000 IOPS |
Écriture aléatoire 4 Ko | 90000 IOPS |
Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 800000 IOPS |
Lecture aléatoire maximale 4 ko | 680000 IOPS |
Fiabilité MTBF | 1.500.000 heures |
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Baie compatible | M.2 2280 |
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Consommation électrique | 5.5 Watt (lecture) - 4.7 Watt (écriture) - 60 mW (en attente) |
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Logiciel(s) inclus | Samsung Magician Software |
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Normes de conformité | IEEE 1667 |
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Détails du paquet | Boîte |
Service et maintenance | Garantie limitée - 5 ans |
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Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
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Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g @ 0,5 ms |