Samsung 870 QVO MZ-77Q4T0BW - SSD - chiffré - 4 To - interne - 2.5" - SATA 6Gb/s - mémoire tampon : 4 Go - AES 256 bits - TCG Opal Encryption - Samsung
- Disque SSD interne
- Capacité: 4 To
- Connectivité: Serial ATA-600
- Format: 2.5"
- Poids: 54g Voir le descriptif
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Avis sur Samsung 870 QVO MZ - 77Q4T0BW - SSD - Disque SSD interne 4 To Samsung
40 avis sur Samsung 870 QVO MZ - 77Q4T0BW - SSD - Disque SSD interne 4 To Samsung
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Samsung 870 QVO MZ-77Q4T0BW - SSD - chiffré - 4 To - interne - 2.5" - SATA 6Gb/s - mémoire tampon : 4 Go - AES 256 bits - TCG Opal Encryption
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Présentation Samsung 870 QVO MZ - 77Q4T0BW - SSD
- Disque SSD interne 4 To Samsung- Fabricant : Samsung
- Référence fabricant : MZ-77Q4T0BW
Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus
En atteignant les vitesses séquentielles maximales limites d'une interface SATA, le 870 QVO offre une vitesse aléatoire et une performance améliorée par rapport au modèle précédent 860 QVO. La technologie intelligente TurboWrite accélère les vitesses d'écriture et maintient un niveau de performance élevé à long terme grâce à une mémoire tampon plus importante.
- Voyez grand, performez plus
Le 870 QVO fait partie de la deuxième génération des SSD QLC de Samsung. Il offre une solution unique aux utilisateurs qui veulent booster leur ordinateur ou ordinateur portable avec la plus grosse capacité de mémoire disponible, sans compromis sur la performance. - Amélioré à tous les niveaux
En atteignant les vitesses séquentielles maximales limites d'une interface SATA, le 870 QVO offre une vitesse aléatoire et une performance améliorée par rapport au modèle précédent 860 QVO. La technologie intelligente TurboWrite accélère les vitesses d'écriture et maintient un niveau de performance élevé à long terme grâce à une mémoire tampon plus importante. - Fiable et durable
La capacité révolutionnaire du 870 QVO double sa fiabilité par rapport au modèle précédent 860 QVO. Ce formidable SSD améliore aussi la durabilité grâce à un algorithme ECC affiné qui assure la stabilité de la performance. - Upgrade facile
L'intégration du 870 QVO est aisée et accessible à tout propriétaire d'un ordinateur ou d'un ordinateur portable avec un SATA 2,5 pouces de facteur de forme standard. Profiter des incroyables performances de ce SSD est aussi simple que de brancher le 870 QVO dans le port SATA et laisser le nouveau logiciel de migration s'occuper du reste. - Logiciel Samsung Magician
Ajoutez de la magie à votre drive. Le logiciel amélioré Samsung Magician 6.1 se charge de veiller sur votre SSD. Vous gérez votre disque en toute simplicité grâce à un large choix d'outils très pratiques pour obtenir les dernières mises à jour, contrôler le fonctionnement et la santé de votre disque et même optimiser ses performances.
Descriptif technique Samsung 870 QVO MZ - 77Q4T0BW - SSD - Disque SSD interne 4 To Samsung
Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
---|---|
Capacité | 4 To |
Cryptage matériel | Oui |
Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
Type de mémoire flash NAND | Cellule à quatre niveaux (QLC) |
Format | 2.5 |
Interface | SATA 6Gb/s |
Taille de la mémoire tampon | 4 Go |
Caractéristiques | Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667 |
Largeur | 69.85 mm |
Profondeur | 100 mm |
Hauteur | 6.8 mm |
Poids | 54 g |
Endurance SSD | 1.44 PB |
---|---|
Débit de transfert interne | 560 Mo/s (lecture) / 530 Mo/s (écriture) |
Lecture aléatoire 4 Ko | 11000 IOPS |
Écriture aléatoire 4 Ko | 35000 IOPS |
Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 88000 IOPS |
Lecture aléatoire maximale 4 ko | 98000 IOPS |
Fiabilité MTBF | 1,500,000 heures |
---|
Interfaces | 1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches |
---|---|
Baie compatible | 2.5 |
Consommation électrique | 3.3 Watt (moyenne) - 5.5 Watt (maximum) - 0.045 Watt (inactif) |
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Service et maintenance | Garantie limitée - 3 ans |
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Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
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Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
Résistance aux chocs (en fonctionnement) | 0.5 ms half-sine |
Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g @ 0,5 ms |