Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - chiffré - 4 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption - Samsung
- Disque SSD interne
- Capacité: 4 To
- Connectivité: PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
- Format: M.2"
- Poids: 9g Voir le descriptif
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Avis sur Samsung 990 PRO MZ - V9P4T0BW - SSD - Disque SSD interne 4 To Samsung
11 avis sur Samsung 990 PRO MZ - V9P4T0BW - SSD - Disque SSD interne 4 To Samsung
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Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - chiffré - 4 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption
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Présentation Samsung 990 PRO MZ - V9P4T0BW - SSD
- Disque SSD interne 4 To Samsung- Fabricant : Samsung
- Référence fabricant : MZ-V9P4T0BW
Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus
Descriptif technique Samsung 990 PRO MZ - V9P4T0BW - SSD - Disque SSD interne 4 To Samsung
Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
---|---|
Capacité | 4 To |
Cryptage matériel | Oui |
Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
Type de mémoire flash NAND | Cellule multiniveaux (MLC) |
Format | M.2 2280 |
Interface | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
Caractéristiques | Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard protection, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, cache DDR4 SDRAM de 4 Go à faible consommation, S.M.A.R.T. |
Largeur | 22 mm |
Profondeur | 80 mm |
Hauteur | 2.3 mm |
Poids | 9 g |
Débit de transfert interne | 7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture) |
---|---|
Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 1550000 IOPS |
Lecture aléatoire maximale 4 ko | 1600000 IOPS |
Fiabilité MTBF | 1,500,000 heures |
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Interfaces | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
---|---|
Baie compatible | M.2 2280 |
Consommation électrique | 5.5 Watt (moyenne) - 55 mW (inactif) |
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Logiciel(s) inclus | Samsung Magician Software |
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Normes de conformité | IEEE 1667 |
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Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
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Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
Résistance aux chocs (en fonctionnement) | 0.5 ms half-sine |
Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g |